VBQF1303 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VBQF1303
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 406 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0040(typ) Ohm
Тип корпуса: DFN3X3EP
Аналог (замена) для VBQF1303
VBQF1303 Datasheet (PDF)
vbqf1303.pdf

VBQF1303www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARY DefinitionVDS (V) RDS(on) () Typ. Qg (Typ.)ID (A) TrenchFET Power MOSFET0.004 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg and UIS Tested30 33.5 nC0.005 at VGS = 2.5 V 45 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Motor Control In
vbqf1306.pdf

VBQF1306www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0045 at VGS = 10 V 40 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 30 26.5 nC0.0060 at VGS = 4.5 V 33.3APPLICATIONS DC/DC Conversion- Low-Side Switch Notebook PC GamingD DFN 3x3 EPTop View
vbqf1310.pdf

VBQF1310www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.010 at V = 10 V 30GS 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 30 26.5 nC0.018 at V = 4.5 V 25GS APPLICATIONS DC/DC Conversion- Low-Side Switch Notebook PC GamingD DFN 3x3 EPTop View
vbqf1206.pdf

VBQF1206www.VBsemi.comN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.0055 at VGS = 4.5V 5820 9.4 nC0.0057 at VGS = 2.5 V 45APPLICATIONS High power density DC/DC Synchronous rectification Embedded DC/DCDFN 3x3 EPD Bottom View Top View Top View1
Другие MOSFET... VBQA1402 , VBQA1405 , VBQA1606 , VBQA1638 , VBQA2305 , VBQA2309 , VBQA3316 , VBQF1206 , IRFP064N , VBQF1306 , VBQF1310 , VBQF2120 , VBQF2309 , VBQG4240 , VBQG7313 , VBQG7322 , VBQG8238 .
History: BLM04N06-B | APM2318A | DMC3016LSD | SCH1343 | 2SJ248 | SI4856DY | IPB029N06N3G
History: BLM04N06-B | APM2318A | DMC3016LSD | SCH1343 | 2SJ248 | SI4856DY | IPB029N06N3G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437