VBQF2120 Todos los transistores

 

VBQF2120 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBQF2120
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 865 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

VBQF2120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:663K  cn vbsemi
 vbqf2120.pdf pdf_icon

VBQF2120

VBQF2120www.VBsemi.comP-Channel 12 V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free according to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.015 at VGS = - 4.5 V - 25 Ultra Small DFN3x3 Chipscale0.021 at VGS = - 2.5 V - 24 35 nC- 12Packaging Reduces Footprint Area,0.023 at VGS = - 1.8 V - 24Profile (0.62 mm)

 9.1. Size:1232K  cn vbsemi
 vbqf2309.pdf pdf_icon

VBQF2120

VBQF2309www.VBsemi.comP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e,f Qg (Typ.),Typ.Definition0.011at VGS = - 10 V -30 TrenchFET Power MOSFET- 30 24 nC Low Thermal Resistance PowerPAK0.018 at VGS = - 4.5V -28Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg and

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRFP4229PBF | CHM41A2PAGP | NCEP4060EQ | NCE65N260D | VN2110 | IPA65R065C7 | IMW120R140M1H

 

 
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