Справочник MOSFET. VBQF2120

 

VBQF2120 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBQF2120
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 865 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015(typ) Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VBQF2120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:663K  cn vbsemi
 vbqf2120.pdf pdf_icon

VBQF2120

VBQF2120www.VBsemi.comP-Channel 12 V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free according to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.015 at VGS = - 4.5 V - 25 Ultra Small DFN3x3 Chipscale0.021 at VGS = - 2.5 V - 24 35 nC- 12Packaging Reduces Footprint Area,0.023 at VGS = - 1.8 V - 24Profile (0.62 mm)

 9.1. Size:1232K  cn vbsemi
 vbqf2309.pdf pdf_icon

VBQF2120

VBQF2309www.VBsemi.comP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e,f Qg (Typ.),Typ.Definition0.011at VGS = - 10 V -30 TrenchFET Power MOSFET- 30 24 nC Low Thermal Resistance PowerPAK0.018 at VGS = - 4.5V -28Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg and

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: DMN2027USS | 2SK1053 | MMBT7002 | AFC4516 | STP50NF25 | SLD70R900S2 | FDU6N50TU

 

 
Back to Top

 


 
.