VBQF2309 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VBQF2309
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 385 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3EP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBQF2309

VBQF2309 Datasheet (PDF)

..1. Size:1232K cn vbsemi
vbqf2309.pdf

VBQF2309www.VBsemi.comP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e,f Qg (Typ.),Typ.Definition0.011at VGS = - 10 V -30 TrenchFET Power MOSFET- 30 24 nC Low Thermal Resistance PowerPAK0.018 at VGS = - 4.5V -28Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg and

9.1. Size:663K cn vbsemi
vbqf2120.pdf

VBQF2120www.VBsemi.comP-Channel 12 V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free according to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.015 at VGS = - 4.5 V - 25 Ultra Small DFN3x3 Chipscale0.021 at VGS = - 2.5 V - 24 35 nC- 12Packaging Reduces Footprint Area,0.023 at VGS = - 1.8 V - 24Profile (0.62 mm)

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Liste

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