VBQF2309 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBQF2309

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 385 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 typ Ohm

Encapsulados: DFN3X3EP

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VBQF2309 datasheet

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VBQF2309

VBQF2309 www.VBsemi.com P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e,f Qg (Typ.) ,Typ. Definition 0.011at VGS = - 10 V -30 TrenchFET Power MOSFET - 30 24 nC Low Thermal Resistance PowerPAK 0.018 at VGS = - 4.5V -28 Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg and

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VBQF2309

VBQF2120 www.VBsemi.com P-Channel 12 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free according to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.015 at VGS = - 4.5 V - 25 Ultra Small DFN3x3 Chipscale 0.021 at VGS = - 2.5 V - 24 35 nC - 12 Packaging Reduces Footprint Area, 0.023 at VGS = - 1.8 V - 24 Profile (0.62 mm)

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