VBQF2309 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VBQF2309
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 47.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 43 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011(typ) Ohm
Тип корпуса: DFN3X3EP
VBQF2309 Datasheet (PDF)
vbqf2309.pdf
VBQF2309www.VBsemi.comP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e,f Qg (Typ.),Typ.Definition0.011at VGS = - 10 V -30 TrenchFET Power MOSFET- 30 24 nC Low Thermal Resistance PowerPAK0.018 at VGS = - 4.5V -28Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg and
vbqf2120.pdf
VBQF2120www.VBsemi.comP-Channel 12 V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free according to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.015 at VGS = - 4.5 V - 25 Ultra Small DFN3x3 Chipscale0.021 at VGS = - 2.5 V - 24 35 nC- 12Packaging Reduces Footprint Area,0.023 at VGS = - 1.8 V - 24Profile (0.62 mm)
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100