Справочник MOSFET. VBQF2309

 

VBQF2309 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBQF2309
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011(typ) Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3EP
 

 Аналог (замена) для VBQF2309

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBQF2309 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1232K  cn vbsemi
 vbqf2309.pdf pdf_icon

VBQF2309

VBQF2309www.VBsemi.comP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e,f Qg (Typ.),Typ.Definition0.011at VGS = - 10 V -30 TrenchFET Power MOSFET- 30 24 nC Low Thermal Resistance PowerPAK0.018 at VGS = - 4.5V -28Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg and

 9.1. Size:663K  cn vbsemi
 vbqf2120.pdf pdf_icon

VBQF2309

VBQF2120www.VBsemi.comP-Channel 12 V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free according to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.015 at VGS = - 4.5 V - 25 Ultra Small DFN3x3 Chipscale0.021 at VGS = - 2.5 V - 24 35 nC- 12Packaging Reduces Footprint Area,0.023 at VGS = - 1.8 V - 24Profile (0.62 mm)

Другие MOSFET... VBQA2305 , VBQA2309 , VBQA3316 , VBQF1206 , VBQF1303 , VBQF1306 , VBQF1310 , VBQF2120 , IRF740 , VBQG4240 , VBQG7313 , VBQG7322 , VBQG8238 , VBTA1220N , VBTA161K , VBTA2245N , VBTA3230NS .

History: HGA190N15SL | IRFSL4228PBF

 

 
Back to Top

 


 
.