VBQF2309. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBQF2309

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 typ Ohm

Тип корпуса: DFN3X3EP

Аналог (замена) для VBQF2309

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBQF2309 даташит

 ..1. Size:1232K  cn vbsemi
 vbqf2309.pdf pdf_icon

VBQF2309

VBQF2309 www.VBsemi.com P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e,f Qg (Typ.) ,Typ. Definition 0.011at VGS = - 10 V -30 TrenchFET Power MOSFET - 30 24 nC Low Thermal Resistance PowerPAK 0.018 at VGS = - 4.5V -28 Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg and

 9.1. Size:663K  cn vbsemi
 vbqf2120.pdf pdf_icon

VBQF2309

VBQF2120 www.VBsemi.com P-Channel 12 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free according to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.015 at VGS = - 4.5 V - 25 Ultra Small DFN3x3 Chipscale 0.021 at VGS = - 2.5 V - 24 35 nC - 12 Packaging Reduces Footprint Area, 0.023 at VGS = - 1.8 V - 24 Profile (0.62 mm)

Другие IGBT... VBQA2305, VBQA2309, VBQA3316, VBQF1206, VBQF1303, VBQF1306, VBQF1310, VBQF2120, IRF740, VBQG4240, VBQG7313, VBQG7322, VBQG8238, VBTA1220N, VBTA161K, VBTA2245N, VBTA3230NS