VBQG4240 Todos los transistores

 

VBQG4240 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBQG4240
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.040(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2
 

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VBQG4240 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1212K  cn vbsemi
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VBQG4240

VBQG4240www.VBsemi.comDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.040 at VGS = - 4.5 V - 5.3 100 % UIS TestedRoHS- 20 17 nCCOMPLIANT0.045 at VGS = - 2.5 V - 4.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2 PowerPAK SC-70-6 DualS1 G1D21S12G1 G2 G13D1D2D1

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History: IRF6621 | SDF100NA40JD | OSG60R190FT3ZF

 

 
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