VBQG4240 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBQG4240

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.040 typ Ohm

Encapsulados: DFN2X2

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VBQG4240 datasheet

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VBQG4240

VBQG4240 www.VBsemi.com Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.040 at VGS = - 4.5 V - 5.3 100 % UIS Tested RoHS - 20 17 nC COMPLIANT 0.045 at VGS = - 2.5 V - 4.3 APPLICATIONS Load Switches S1 S2 PowerPAK SC-70-6 Dual S1 G1 D2 1 S1 2 G1 G2 G1 3 D1 D2 D1

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