VBQG4240. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBQG4240

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.040 typ Ohm

Тип корпуса: DFN2X2

Аналог (замена) для VBQG4240

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBQG4240 даташит

 ..1. Size:1212K  cn vbsemi
 vbqg4240.pdf pdf_icon

VBQG4240

VBQG4240 www.VBsemi.com Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.040 at VGS = - 4.5 V - 5.3 100 % UIS Tested RoHS - 20 17 nC COMPLIANT 0.045 at VGS = - 2.5 V - 4.3 APPLICATIONS Load Switches S1 S2 PowerPAK SC-70-6 Dual S1 G1 D2 1 S1 2 G1 G2 G1 3 D1 D2 D1

Другие IGBT... VBQA2309, VBQA3316, VBQF1206, VBQF1303, VBQF1306, VBQF1310, VBQF2120, VBQF2309, IRF840, VBQG7313, VBQG7322, VBQG8238, VBTA1220N, VBTA161K, VBTA2245N, VBTA3230NS, VBTA3615M