VBQG4240 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VBQG4240
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.040(typ) Ohm
Тип корпуса: DFN2X2
Аналог (замена) для VBQG4240
VBQG4240 Datasheet (PDF)
vbqg4240.pdf

VBQG4240www.VBsemi.comDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.040 at VGS = - 4.5 V - 5.3 100 % UIS TestedRoHS- 20 17 nCCOMPLIANT0.045 at VGS = - 2.5 V - 4.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2 PowerPAK SC-70-6 DualS1 G1D21S12G1 G2 G13D1D2D1
Другие MOSFET... VBQA2309 , VBQA3316 , VBQF1206 , VBQF1303 , VBQF1306 , VBQF1310 , VBQF2120 , VBQF2309 , 20N60 , VBQG7313 , VBQG7322 , VBQG8238 , VBTA1220N , VBTA161K , VBTA2245N , VBTA3230NS , VBTA3615M .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet