VBQG7313 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBQG7313

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 126 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.020 typ Ohm

Encapsulados: DFN2X2

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VBQG7313 datasheet

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VBQG7313

VBQG7313 www.VBsemi.com N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Typ.) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 0.013 at VGS = 10 V 12 0.014 at VGS = 6 V 30 12 5 nC 0.016 at VGS = 4.5 V 12 APPLICATIONS DFN6(2*2) DC/DC Converters and Synchronous Buck Converters - Lower Ringing Voltage from Soft Turn-On D -

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VBQG7313

VBQG7322 www.VBsemi.com N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.030 at VGS = 10 V 6 Low On-Resistance 30 4.2 nC 0.040 at VGS = 4.5 V 5 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DFN6(2X2) DC

Otros transistores... VBQA3316, VBQF1206, VBQF1303, VBQF1306, VBQF1310, VBQF2120, VBQF2309, VBQG4240, 20N60, VBQG7322, VBQG8238, VBTA1220N, VBTA161K, VBTA2245N, VBTA3230NS, VBTA3615M, VBTA4250N