VBQG7313. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBQG7313

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.020 typ Ohm

Тип корпуса: DFN2X2

Аналог (замена) для VBQG7313

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBQG7313 даташит

 ..1. Size:334K  cn vbsemi
 vbqg7313.pdf pdf_icon

VBQG7313

VBQG7313 www.VBsemi.com N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Typ.) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 0.013 at VGS = 10 V 12 0.014 at VGS = 6 V 30 12 5 nC 0.016 at VGS = 4.5 V 12 APPLICATIONS DFN6(2*2) DC/DC Converters and Synchronous Buck Converters - Lower Ringing Voltage from Soft Turn-On D -

 8.1. Size:1104K  cn vbsemi
 vbqg7322.pdf pdf_icon

VBQG7313

VBQG7322 www.VBsemi.com N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.030 at VGS = 10 V 6 Low On-Resistance 30 4.2 nC 0.040 at VGS = 4.5 V 5 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DFN6(2X2) DC

Другие IGBT... VBQA3316, VBQF1206, VBQF1303, VBQF1306, VBQF1310, VBQF2120, VBQF2309, VBQG4240, 20N60, VBQG7322, VBQG8238, VBTA1220N, VBTA161K, VBTA2245N, VBTA3230NS, VBTA3615M, VBTA4250N