Справочник MOSFET. VBQG7313

 

VBQG7313 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBQG7313
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.020(typ) Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2

 Аналог (замена) для VBQG7313

 

 

VBQG7313 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:334K  cn vbsemi
 vbqg7313.pdf

VBQG7313 VBQG7313

VBQG7313www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Typ.)ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested0.013 at VGS = 10 V 120.014 at VGS = 6 V 30 12 5 nC0.016 at VGS = 4.5 V 12APPLICATIONSDFN6(2*2) DC/DC Converters and Synchronous Buck Converters- Lower Ringing Voltage from Soft Turn-OnD -

 8.1. Size:1104K  cn vbsemi
 vbqg7322.pdf

VBQG7313 VBQG7313

VBQG7322www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 10 V 6 Low On-Resistance30 4.2 nC0.040 at VGS = 4.5 V 5 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSDFN6(2X2) DC

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top