VBQG7322 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBQG7322

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 typ Ohm

Encapsulados: DFN2X2

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VBQG7322 datasheet

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VBQG7322

VBQG7322 www.VBsemi.com N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.030 at VGS = 10 V 6 Low On-Resistance 30 4.2 nC 0.040 at VGS = 4.5 V 5 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DFN6(2X2) DC

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VBQG7322

VBQG7313 www.VBsemi.com N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Typ.) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 0.013 at VGS = 10 V 12 0.014 at VGS = 6 V 30 12 5 nC 0.016 at VGS = 4.5 V 12 APPLICATIONS DFN6(2*2) DC/DC Converters and Synchronous Buck Converters - Lower Ringing Voltage from Soft Turn-On D -

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