Справочник MOSFET. VBQG7322

 

VBQG7322 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBQG7322
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023(typ) Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2

 Аналог (замена) для VBQG7322

 

 

VBQG7322 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1104K  cn vbsemi
 vbqg7322.pdf

VBQG7322 VBQG7322

VBQG7322www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 10 V 6 Low On-Resistance30 4.2 nC0.040 at VGS = 4.5 V 5 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSDFN6(2X2) DC

 8.1. Size:334K  cn vbsemi
 vbqg7313.pdf

VBQG7322 VBQG7322

VBQG7313www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Typ.)ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested0.013 at VGS = 10 V 120.014 at VGS = 6 V 30 12 5 nC0.016 at VGS = 4.5 V 12APPLICATIONSDFN6(2*2) DC/DC Converters and Synchronous Buck Converters- Lower Ringing Voltage from Soft Turn-OnD -

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top