Справочник MOSFET. VBQG7322

 

VBQG7322 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBQG7322
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023(typ) Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2
 

 Аналог (замена) для VBQG7322

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBQG7322 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1104K  cn vbsemi
 vbqg7322.pdf pdf_icon

VBQG7322

VBQG7322www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 10 V 6 Low On-Resistance30 4.2 nC0.040 at VGS = 4.5 V 5 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSDFN6(2X2) DC

 8.1. Size:334K  cn vbsemi
 vbqg7313.pdf pdf_icon

VBQG7322

VBQG7313www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Typ.)ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested0.013 at VGS = 10 V 120.014 at VGS = 6 V 30 12 5 nC0.016 at VGS = 4.5 V 12APPLICATIONSDFN6(2*2) DC/DC Converters and Synchronous Buck Converters- Lower Ringing Voltage from Soft Turn-OnD -

Другие MOSFET... VBQF1206 , VBQF1303 , VBQF1306 , VBQF1310 , VBQF2120 , VBQF2309 , VBQG4240 , VBQG7313 , IRF540 , VBQG8238 , VBTA1220N , VBTA161K , VBTA2245N , VBTA3230NS , VBTA3615M , VBTA4250N , VBTA5220N .

History: STF32N65M5 | IXTH90P10P | 2SK1206

 

 
Back to Top

 


 
.