VBQG7322 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VBQG7322
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023(typ) Ohm
Тип корпуса: DFN2X2
Аналог (замена) для VBQG7322
VBQG7322 Datasheet (PDF)
vbqg7322.pdf

VBQG7322www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 10 V 6 Low On-Resistance30 4.2 nC0.040 at VGS = 4.5 V 5 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSDFN6(2X2) DC
vbqg7313.pdf

VBQG7313www.VBsemi.comN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Typ.)ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested0.013 at VGS = 10 V 120.014 at VGS = 6 V 30 12 5 nC0.016 at VGS = 4.5 V 12APPLICATIONSDFN6(2*2) DC/DC Converters and Synchronous Buck Converters- Lower Ringing Voltage from Soft Turn-OnD -
Другие MOSFET... VBQF1206 , VBQF1303 , VBQF1306 , VBQF1310 , VBQF2120 , VBQF2309 , VBQG4240 , VBQG7313 , IRF540N , VBQG8238 , VBTA1220N , VBTA161K , VBTA2245N , VBTA3230NS , VBTA3615M , VBTA4250N , VBTA5220N .
History: QM3003V | QM3004N3 | QM3003K | AM3406N | IRFPE22 | IRF3710ZS
History: QM3003V | QM3004N3 | QM3003K | AM3406N | IRFPE22 | IRF3710ZS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor