VBQG8238 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VBQG8238
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 38 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.030(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBQG8238

VBQG8238 Datasheet (PDF)

..1. Size:1104K cn vbsemi
vbqg8238.pdf

VBQG8238www.VBsemi.comP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced DFN2X2Package0.030 at VGS = - 4.5 V -10a- 20 18 nC- Small Footprint Area0.045 at VGS = - 2.5 V -9a- Low On-ResistanceAPPLICATIONS Load Switch, PA Switch, and Battery Switch for PortableDevi

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

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