VBQG8238 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBQG8238

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.030 typ Ohm

Encapsulados: DFN2X2

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VBQG8238 datasheet

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VBQG8238

VBQG8238 www.VBsemi.com P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced DFN2X2 Package 0.030 at VGS = - 4.5 V -10a - 20 18 nC - Small Footprint Area 0.045 at VGS = - 2.5 V -9a - Low On-Resistance APPLICATIONS Load Switch, PA Switch, and Battery Switch for Portable Devi

Otros transistores... VBQF1303, VBQF1306, VBQF1310, VBQF2120, VBQF2309, VBQG4240, VBQG7313, VBQG7322, IRF540, VBTA1220N, VBTA161K, VBTA2245N, VBTA3230NS, VBTA3615M, VBTA4250N, VBTA5220N, VBZ3442