VBQG8238. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBQG8238

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.030 typ Ohm

Тип корпуса: DFN2X2

Аналог (замена) для VBQG8238

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBQG8238 даташит

 ..1. Size:1104K  cn vbsemi
 vbqg8238.pdf pdf_icon

VBQG8238

VBQG8238 www.VBsemi.com P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced DFN2X2 Package 0.030 at VGS = - 4.5 V -10a - 20 18 nC - Small Footprint Area 0.045 at VGS = - 2.5 V -9a - Low On-Resistance APPLICATIONS Load Switch, PA Switch, and Battery Switch for Portable Devi

Другие IGBT... VBQF1303, VBQF1306, VBQF1310, VBQF2120, VBQF2309, VBQG4240, VBQG7313, VBQG7322, IRF540, VBTA1220N, VBTA161K, VBTA2245N, VBTA3230NS, VBTA3615M, VBTA4250N, VBTA5220N, VBZ3442