Справочник MOSFET. VBQG8238

 

VBQG8238 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBQG8238
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.030(typ) Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2
 

 Аналог (замена) для VBQG8238

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBQG8238 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1104K  cn vbsemi
 vbqg8238.pdf pdf_icon

VBQG8238

VBQG8238www.VBsemi.comP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced DFN2X2Package0.030 at VGS = - 4.5 V -10a- 20 18 nC- Small Footprint Area0.045 at VGS = - 2.5 V -9a- Low On-ResistanceAPPLICATIONS Load Switch, PA Switch, and Battery Switch for PortableDevi

Другие MOSFET... VBQF1303 , VBQF1306 , VBQF1310 , VBQF2120 , VBQF2309 , VBQG4240 , VBQG7313 , VBQG7322 , IRF540N , VBTA1220N , VBTA161K , VBTA2245N , VBTA3230NS , VBTA3615M , VBTA4250N , VBTA5220N , VBZ3442 .

History: ME2N7002D | P0460ED | IXTK17N120L | ZXM62N03G | 7NM70G-TF1-T | DH400P06F | RFH25P10

 

 
Back to Top

 


 
.