VBTA1220N Todos los transistores

 

VBTA1220N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBTA1220N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.270(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SC75
     - Selección de transistores por parámetros

 

VBTA1220N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  cn vbsemi
 vbta1220n.pdf pdf_icon

VBTA1220N

VBTA1220Nwww.VBsemi.comN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) c Qg (TYP.) 100 % Rg tested0.270 at VGS = 4.5 V0.7520 1.4 nC0.390 at VGS = 2.5 V0.70APPLICATIONS Smart phones, tablet PCs- DC/DC converters- Boost converters- Load switch, OVP switchSC-75 DG1G3 DS 2Top Vie

 9.1. Size:1003K  cn vbsemi
 vbta161k.pdf pdf_icon

VBTA1220N

001VBTA161Kwww.VBsemi.comN-Channel 60V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (mA)Definition1.2 at VGS = 10 V60 330 Low On-Resistance: 2 Low Threshold: 2 V (typ.) Low Input Capacitance: 25 pFSOT-523 Fast Switching Speed: 25 nsSC-75 Low Input and Output Leakage TrenchFET Pow

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLI3803PBF | DMN2020LSN | STP60NF06LFP | IMZ120R350M1H | NCE80H12

 

 
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