Справочник MOSFET. VBTA1220N

 

VBTA1220N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBTA1220N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.270(typ) Ohm
   Тип корпуса: SC75
 

 Аналог (замена) для VBTA1220N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBTA1220N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  cn vbsemi
 vbta1220n.pdf pdf_icon

VBTA1220N

VBTA1220Nwww.VBsemi.comN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) c Qg (TYP.) 100 % Rg tested0.270 at VGS = 4.5 V0.7520 1.4 nC0.390 at VGS = 2.5 V0.70APPLICATIONS Smart phones, tablet PCs- DC/DC converters- Boost converters- Load switch, OVP switchSC-75 DG1G3 DS 2Top Vie

 9.1. Size:1003K  cn vbsemi
 vbta161k.pdf pdf_icon

VBTA1220N

001VBTA161Kwww.VBsemi.comN-Channel 60V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (mA)Definition1.2 at VGS = 10 V60 330 Low On-Resistance: 2 Low Threshold: 2 V (typ.) Low Input Capacitance: 25 pFSOT-523 Fast Switching Speed: 25 nsSC-75 Low Input and Output Leakage TrenchFET Pow

Другие MOSFET... VBQF1306 , VBQF1310 , VBQF2120 , VBQF2309 , VBQG4240 , VBQG7313 , VBQG7322 , VBQG8238 , 50N06 , VBTA161K , VBTA2245N , VBTA3230NS , VBTA3615M , VBTA4250N , VBTA5220N , VBZ3442 , VBZ7001 .

History: TMU4N60 | CEP84A4 | BSC123N08NS3G | 2SK2101-01MR | IRFP9133 | RHP030N03T100 | AM5931P

 

 
Back to Top

 


 
.