Справочник MOSFET. VBTA1220N

 

VBTA1220N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBTA1220N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.270(typ) Ohm
   Тип корпуса: SC75
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VBTA1220N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  cn vbsemi
 vbta1220n.pdf pdf_icon

VBTA1220N

VBTA1220Nwww.VBsemi.comN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) c Qg (TYP.) 100 % Rg tested0.270 at VGS = 4.5 V0.7520 1.4 nC0.390 at VGS = 2.5 V0.70APPLICATIONS Smart phones, tablet PCs- DC/DC converters- Boost converters- Load switch, OVP switchSC-75 DG1G3 DS 2Top Vie

 9.1. Size:1003K  cn vbsemi
 vbta161k.pdf pdf_icon

VBTA1220N

001VBTA161Kwww.VBsemi.comN-Channel 60V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (mA)Definition1.2 at VGS = 10 V60 330 Low On-Resistance: 2 Low Threshold: 2 V (typ.) Low Input Capacitance: 25 pFSOT-523 Fast Switching Speed: 25 nsSC-75 Low Input and Output Leakage TrenchFET Pow

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SI2314 | KHB011N40F1 | SGSP341 | 4N40 | R6520KNX1 | 2SK3940 | DMG4N65CTI

 

 
Back to Top

 


 
.