VBTA161K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBTA161K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.35 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.33 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 0.4 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 6 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT523
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBTA161K
VBTA161K Datasheet (PDF)
vbta161k.pdf
001VBTA161Kwww.VBsemi.comN-Channel 60V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (mA)Definition1.2 at VGS = 10 V60 330 Low On-Resistance: 2 Low Threshold: 2 V (typ.) Low Input Capacitance: 25 pFSOT-523 Fast Switching Speed: 25 nsSC-75 Low Input and Output Leakage TrenchFET Pow
vbta1220n.pdf
VBTA1220Nwww.VBsemi.comN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) c Qg (TYP.) 100 % Rg tested0.270 at VGS = 4.5 V0.7520 1.4 nC0.390 at VGS = 2.5 V0.70APPLICATIONS Smart phones, tablet PCs- DC/DC converters- Boost converters- Load switch, OVP switchSC-75 DG1G3 DS 2Top Vie
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