Справочник MOSFET. VBTA161K

 

VBTA161K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBTA161K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT523
 

 Аналог (замена) для VBTA161K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBTA161K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1003K  cn vbsemi
 vbta161k.pdf pdf_icon

VBTA161K

001VBTA161Kwww.VBsemi.comN-Channel 60V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (mA)Definition1.2 at VGS = 10 V60 330 Low On-Resistance: 2 Low Threshold: 2 V (typ.) Low Input Capacitance: 25 pFSOT-523 Fast Switching Speed: 25 nsSC-75 Low Input and Output Leakage TrenchFET Pow

 9.1. Size:232K  cn vbsemi
 vbta1220n.pdf pdf_icon

VBTA161K

VBTA1220Nwww.VBsemi.comN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) c Qg (TYP.) 100 % Rg tested0.270 at VGS = 4.5 V0.7520 1.4 nC0.390 at VGS = 2.5 V0.70APPLICATIONS Smart phones, tablet PCs- DC/DC converters- Boost converters- Load switch, OVP switchSC-75 DG1G3 DS 2Top Vie

Другие MOSFET... VBQF1310 , VBQF2120 , VBQF2309 , VBQG4240 , VBQG7313 , VBQG7322 , VBQG8238 , VBTA1220N , IRF640 , VBTA2245N , VBTA3230NS , VBTA3615M , VBTA4250N , VBTA5220N , VBZ3442 , VBZ7001 , VBZ84 .

History: IRF7478PBF-1 | STN4260 | PK5G6EA | FDS6680S | HMS60N10D | ZXM64N035L3

 

 
Back to Top

 


 
.