VBTA161K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBTA161K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: SOT523

Аналог (замена) для VBTA161K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBTA161K даташит

 ..1. Size:1003K  cn vbsemi
 vbta161k.pdf pdf_icon

VBTA161K

001 VBTA161K www.VBsemi.com N-Channel 60V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (mA) Definition 1.2 at VGS = 10 V 60 330 Low On-Resistance 2 Low Threshold 2 V (typ.) Low Input Capacitance 25 pF SOT-523 Fast Switching Speed 25 ns SC-75 Low Input and Output Leakage TrenchFET Pow

 9.1. Size:232K  cn vbsemi
 vbta1220n.pdf pdf_icon

VBTA161K

VBTA1220N www.VBsemi.com N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) c Qg (TYP.) 100 % Rg tested 0.270 at VGS = 4.5 V 0.75 20 1.4 nC 0.390 at VGS = 2.5 V 0.70 APPLICATIONS Smart phones, tablet PC s - DC/DC converters - Boost converters - Load switch, OVP switch SC-75 D G 1 G 3 D S 2 Top Vie

Другие IGBT... VBQF1310, VBQF2120, VBQF2309, VBQG4240, VBQG7313, VBQG7322, VBQG8238, VBTA1220N, IRFP460, VBTA2245N, VBTA3230NS, VBTA3615M, VBTA4250N, VBTA5220N, VBZ3442, VBZ7001, VBZ84