VBTA2245N Todos los transistores

 

VBTA2245N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBTA2245N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.19 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.450(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SC75
 

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VBTA2245N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:675K  cn vbsemi
 vbta2245n.pdf pdf_icon

VBTA2245N

VBTA2245Nwww.VBsemi.comP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (TYP.) (nC) 100 % R tested0.450 at VGS = -4.5 V -0.55 Fast switching speed-20 0.500 at VGS = -2.5 V -0.50 10.600 at VGS = -1.8 V -0.38APPLICATIONS Load / power switch for portabledevicesS Drivers: relays, solenoids, displa

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History: HTD1K5N10 | QM3014M6

 

 
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