VBTA2245N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBTA2245N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.19 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1.65 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.450 typ Ohm

Тип корпуса: SC75

Аналог (замена) для VBTA2245N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBTA2245N даташит

 ..1. Size:675K  cn vbsemi
 vbta2245n.pdf pdf_icon

VBTA2245N

VBTA2245N www.VBsemi.com P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (TYP.) (nC) 100 % R tested 0.450 at VGS = -4.5 V -0.55 Fast switching speed -20 0.500 at VGS = -2.5 V -0.50 1 0.600 at VGS = -1.8 V -0.38 APPLICATIONS Load / power switch for portable devices S Drivers relays, solenoids, displa

Другие IGBT... VBQF2120, VBQF2309, VBQG4240, VBQG7313, VBQG7322, VBQG8238, VBTA1220N, VBTA161K, IRFZ44, VBTA3230NS, VBTA3615M, VBTA4250N, VBTA5220N, VBZ3442, VBZ7001, VBZ84, VBZA4042