VBTA2245N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VBTA2245N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.19 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.55 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.450(typ) Ohm
Тип корпуса: SC75
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
VBTA2245N Datasheet (PDF)
vbta2245n.pdf

VBTA2245Nwww.VBsemi.comP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (TYP.) (nC) 100 % R tested0.450 at VGS = -4.5 V -0.55 Fast switching speed-20 0.500 at VGS = -2.5 V -0.50 10.600 at VGS = -1.8 V -0.38APPLICATIONS Load / power switch for portabledevicesS Drivers: relays, solenoids, displa
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: HY10N65T | JCS24N50ABH | CS64N90B | L2N60P | IRF3707SPBF | IRF6616 | RSD175N10
History: HY10N65T | JCS24N50ABH | CS64N90B | L2N60P | IRF3707SPBF | IRF6616 | RSD175N10



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118