VBTA2245N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VBTA2245N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.19 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.55 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.450(typ) Ohm
Тип корпуса: SC75
Аналог (замена) для VBTA2245N
VBTA2245N Datasheet (PDF)
vbta2245n.pdf

VBTA2245Nwww.VBsemi.comP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (TYP.) (nC) 100 % R tested0.450 at VGS = -4.5 V -0.55 Fast switching speed-20 0.500 at VGS = -2.5 V -0.50 10.600 at VGS = -1.8 V -0.38APPLICATIONS Load / power switch for portabledevicesS Drivers: relays, solenoids, displa
Другие MOSFET... VBQF2120 , VBQF2309 , VBQG4240 , VBQG7313 , VBQG7322 , VBQG8238 , VBTA1220N , VBTA161K , IRF640 , VBTA3230NS , VBTA3615M , VBTA4250N , VBTA5220N , VBZ3442 , VBZ7001 , VBZ84 , VBZA4042 .
History: SWK230R45VT | 6N60KG-TND-R | SWK200R10VT | NCE65N900 | NCE65N800I | NCE65N760I | NCE65N800D
History: SWK230R45VT | 6N60KG-TND-R | SWK200R10VT | NCE65N900 | NCE65N800I | NCE65N760I | NCE65N800D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118