VBTA3230NS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBTA3230NS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.22 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.300 typ Ohm

Encapsulados: SC89

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VBTA3230NS datasheet

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VBTA3230NS

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VBTA3230NS

VBTA3615M www.VBsemi.com Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested 1.50 at VGS = 4.5V 0.18 60 0.6 Gate-Source ESD Protected 1000 V 1.20 at VGS = 10V 0.20 SC75-6 APPLICATIONS S1 1 6 D1 Load/Power Switching for Portable Devices Drivers Relays, Solenoids, Lamps, Ham

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