VBTA3230NS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBTA3230NS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.22 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.300 typ Ohm

Тип корпуса: SC89

Аналог (замена) для VBTA3230NS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBTA3230NS даташит

 ..1. Size:1009K  cn vbsemi
 vbta3230ns.pdf pdf_icon

VBTA3230NS

 9.1. Size:1186K  cn vbsemi
 vbta3615m.pdf pdf_icon

VBTA3230NS

VBTA3615M www.VBsemi.com Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested 1.50 at VGS = 4.5V 0.18 60 0.6 Gate-Source ESD Protected 1000 V 1.20 at VGS = 10V 0.20 SC75-6 APPLICATIONS S1 1 6 D1 Load/Power Switching for Portable Devices Drivers Relays, Solenoids, Lamps, Ham

Другие IGBT... VBQF2309, VBQG4240, VBQG7313, VBQG7322, VBQG8238, VBTA1220N, VBTA161K, VBTA2245N, IRF640, VBTA3615M, VBTA4250N, VBTA5220N, VBZ3442, VBZ7001, VBZ84, VBZA4042, VBZA4407