VBTA3615M Todos los transistores

 

VBTA3615M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBTA3615M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.22 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SC75-6
 

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VBTA3615M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1186K  cn vbsemi
 vbta3615m.pdf pdf_icon

VBTA3615M

VBTA3615Mwww.VBsemi.comDual N-Channel 60 V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURESVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested1.50 at VGS = 4.5V 0.1860 0.6 Gate-Source ESD Protected: 1000 V1.20 at VGS = 10V 0.20SC75-6APPLICATIONSS1 1 6 D1 Load/Power Switching for Portable Devices Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Ham

 9.1. Size:1009K  cn vbsemi
 vbta3230ns.pdf pdf_icon

VBTA3615M

VBTA3230NSwww.VBsemi.comDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg Tested0.360 at VGS = 4.5 V 0.6 Gate-Source ESD Protected: 1000 V0.420 at VGS = 2.5 V 0.420 0.750.520 at VGS = 1.8 V 0.20.720 at VGS = 1.5 V 0.05APPLICATIONS Load/Power Switching for Portable Devices

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History: VN2110 | JCS6N90FA | AP4959GM | 6N60KL-TF3-T | IPB039N10N3GE8187 | STP3NK80Z | AM2361P

 

 
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