Справочник MOSFET. VBTA3615M

 

VBTA3615M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBTA3615M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.22 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5(typ) Ohm
   Тип корпуса: SC75-6

 Аналог (замена) для VBTA3615M

 

 

VBTA3615M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1186K  cn vbsemi
 vbta3615m.pdf

VBTA3615M VBTA3615M

VBTA3615Mwww.VBsemi.comDual N-Channel 60 V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURESVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested1.50 at VGS = 4.5V 0.1860 0.6 Gate-Source ESD Protected: 1000 V1.20 at VGS = 10V 0.20SC75-6APPLICATIONSS1 1 6 D1 Load/Power Switching for Portable Devices Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Ham

 9.1. Size:1009K  cn vbsemi
 vbta3230ns.pdf

VBTA3615M VBTA3615M

VBTA3230NSwww.VBsemi.comDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg Tested0.360 at VGS = 4.5 V 0.6 Gate-Source ESD Protected: 1000 V0.420 at VGS = 2.5 V 0.420 0.750.520 at VGS = 1.8 V 0.20.720 at VGS = 1.5 V 0.05APPLICATIONS Load/Power Switching for Portable Devices

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top