VBTA4250N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBTA4250N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.22 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.650 typ Ohm

Encapsulados: SC75-6

 Búsqueda de reemplazo de VBTA4250N MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

VBTA4250N datasheet

 ..1. Size:2096K  cn vbsemi
 vbta4250n.pdf pdf_icon

VBTA4250N

VBTA4250N www.VBsemi.com Dual P-Channel -20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg Tested Gate-Source ESD Protected 1000 V 0.65 at VGS = -4.5 V -0.30 -20 0.75 0.84 at VGS = -2.5 V -0.25 1.20 at VGS = -1.8 V -0.18 APPLICATIONS Load/Power Switching for Portable Devices Drivers Relays, So

Otros transistores... VBQG7313, VBQG7322, VBQG8238, VBTA1220N, VBTA161K, VBTA2245N, VBTA3230NS, VBTA3615M, IRLZ44N, VBTA5220N, VBZ3442, VBZ7001, VBZ84, VBZA4042, VBZA4407, VBZA4409, VBZA4410