Справочник MOSFET. VBTA4250N

 

VBTA4250N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBTA4250N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.22 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.650(typ) Ohm
   Тип корпуса: SC75-6

 Аналог (замена) для VBTA4250N

 

 

VBTA4250N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2096K  cn vbsemi
 vbta4250n.pdf

VBTA4250N VBTA4250N

VBTA4250Nwww.VBsemi.comDual P-Channel -20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg Tested Gate-Source ESD Protected: 1000 V0.65 at VGS = -4.5 V -0.30-20 0.750.84 at VGS = -2.5 V -0.251.20 at VGS = -1.8 V -0.18APPLICATIONS Load/Power Switching for Portable Devices Drivers: Relays, So

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top