VBTA4250N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBTA4250N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.22 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.650 typ Ohm

Тип корпуса: SC75-6

Аналог (замена) для VBTA4250N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBTA4250N даташит

 ..1. Size:2096K  cn vbsemi
 vbta4250n.pdf pdf_icon

VBTA4250N

VBTA4250N www.VBsemi.com Dual P-Channel -20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg Tested Gate-Source ESD Protected 1000 V 0.65 at VGS = -4.5 V -0.30 -20 0.75 0.84 at VGS = -2.5 V -0.25 1.20 at VGS = -1.8 V -0.18 APPLICATIONS Load/Power Switching for Portable Devices Drivers Relays, So

Другие IGBT... VBQG7313, VBQG7322, VBQG8238, VBTA1220N, VBTA161K, VBTA2245N, VBTA3230NS, VBTA3615M, IRLZ44N, VBTA5220N, VBZ3442, VBZ7001, VBZ84, VBZA4042, VBZA4407, VBZA4409, VBZA4410