VBTA4250N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VBTA4250N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.22 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.650(typ) Ohm
Тип корпуса: SC75-6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
VBTA4250N Datasheet (PDF)
vbta4250n.pdf

VBTA4250Nwww.VBsemi.comDual P-Channel -20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg Tested Gate-Source ESD Protected: 1000 V0.65 at VGS = -4.5 V -0.30-20 0.750.84 at VGS = -2.5 V -0.251.20 at VGS = -1.8 V -0.18APPLICATIONS Load/Power Switching for Portable Devices Drivers: Relays, So
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: BUK9Y2R4-40H | BSC032N03SG | SSU90R1K5S | BF964S | SI9434BDY | 12P10L-TM3-T | FDB9403F085
History: BUK9Y2R4-40H | BSC032N03SG | SSU90R1K5S | BF964S | SI9434BDY | 12P10L-TM3-T | FDB9403F085



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117