VBTA5220N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBTA5220N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm

Encapsulados: SC75-6

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VBTA5220N datasheet

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VBTA5220N

VBTA5220N www.VBsemi.com N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.270 at VGS = 4.5 V 0.60 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 20 0.410 at VGS = 2.5 V 0.55 100 % Rg Tested 0.840 at VGS = - 4.5 V - 0.30 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC P-Channel - 20 0.660

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