VBTA5220N Todos los transistores

 

VBTA5220N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBTA5220N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC75-6
 

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VBTA5220N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1022K  cn vbsemi
 vbta5220n.pdf pdf_icon

VBTA5220N

VBTA5220Nwww.VBsemi.comN- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.270 at VGS = 4.5 V 0.60 TrenchFET Power MOSFETN-Channel200.410 at VGS = 2.5 V0.55 100 % Rg Tested0.840 at VGS = - 4.5 V - 0.30 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.660

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History: HY3008PM | SVG103R0NSTR | IXTM12N45A | CEM4953H | RS1E300GN | PSMN5R8-30LL | CEM9407A

 

 
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