Справочник MOSFET. VBTA5220N

 

VBTA5220N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBTA5220N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.7(min) V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: SC75-6

 Аналог (замена) для VBTA5220N

 

 

VBTA5220N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1022K  cn vbsemi
 vbta5220n.pdf

VBTA5220N VBTA5220N

VBTA5220Nwww.VBsemi.comN- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.270 at VGS = 4.5 V 0.60 TrenchFET Power MOSFETN-Channel200.410 at VGS = 2.5 V0.55 100 % Rg Tested0.840 at VGS = - 4.5 V - 0.30 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.660

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top