VBTA5220N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBTA5220N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: SC75-6

Аналог (замена) для VBTA5220N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBTA5220N даташит

 ..1. Size:1022K  cn vbsemi
 vbta5220n.pdf pdf_icon

VBTA5220N

VBTA5220N www.VBsemi.com N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.270 at VGS = 4.5 V 0.60 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 20 0.410 at VGS = 2.5 V 0.55 100 % Rg Tested 0.840 at VGS = - 4.5 V - 0.30 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC P-Channel - 20 0.660

Другие IGBT... VBQG7322, VBQG8238, VBTA1220N, VBTA161K, VBTA2245N, VBTA3230NS, VBTA3615M, VBTA4250N, IRFB4110, VBZ3442, VBZ7001, VBZ84, VBZA4042, VBZA4407, VBZA4409, VBZA4410, VBZA4412