Справочник MOSFET. VBTA5220N

 

VBTA5220N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBTA5220N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: SC75-6
 

 Аналог (замена) для VBTA5220N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBTA5220N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1022K  cn vbsemi
 vbta5220n.pdf pdf_icon

VBTA5220N

VBTA5220Nwww.VBsemi.comN- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.270 at VGS = 4.5 V 0.60 TrenchFET Power MOSFETN-Channel200.410 at VGS = 2.5 V0.55 100 % Rg Tested0.840 at VGS = - 4.5 V - 0.30 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.660

Другие MOSFET... VBQG7322 , VBQG8238 , VBTA1220N , VBTA161K , VBTA2245N , VBTA3230NS , VBTA3615M , VBTA4250N , IRF640N , VBZ3442 , VBZ7001 , VBZ84 , VBZA4042 , VBZA4407 , VBZA4409 , VBZA4410 , VBZA4412 .

History: IXTH2N170D2 | PMPB43XPEA | FDS6680S | HY3208APS | GSM9576 | HGP080N10AL | STW20NM50FD

 

 
Back to Top

 


 
.