VBTA5220N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VBTA5220N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
Тип корпуса: SC75-6
Аналог (замена) для VBTA5220N
VBTA5220N Datasheet (PDF)
vbta5220n.pdf

VBTA5220Nwww.VBsemi.comN- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.270 at VGS = 4.5 V 0.60 TrenchFET Power MOSFETN-Channel200.410 at VGS = 2.5 V0.55 100 % Rg Tested0.840 at VGS = - 4.5 V - 0.30 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.660
Другие MOSFET... VBQG7322 , VBQG8238 , VBTA1220N , VBTA161K , VBTA2245N , VBTA3230NS , VBTA3615M , VBTA4250N , IRF640N , VBZ3442 , VBZ7001 , VBZ84 , VBZA4042 , VBZA4407 , VBZA4409 , VBZA4410 , VBZA4412 .
History: ELM544599A | CSD19501KCS | FDD9509L-F085 | KI2306DS | JCS9N50CC | SVT068R5NL5TR | FQB7P06TM
History: ELM544599A | CSD19501KCS | FDD9509L-F085 | KI2306DS | JCS9N50CC | SVT068R5NL5TR | FQB7P06TM



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643