Справочник MOSFET. VBTA5220N

 

VBTA5220N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBTA5220N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: SC75-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VBTA5220N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1022K  cn vbsemi
 vbta5220n.pdf pdf_icon

VBTA5220N

VBTA5220Nwww.VBsemi.comN- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.270 at VGS = 4.5 V 0.60 TrenchFET Power MOSFETN-Channel200.410 at VGS = 2.5 V0.55 100 % Rg Tested0.840 at VGS = - 4.5 V - 0.30 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.660

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP0535A

 

 
Back to Top

 


 
.