VBZ7001 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBZ7001

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.46 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9 Ohm

Encapsulados: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de VBZ7001 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

VBZ7001 datasheet

 ..1. Size:1826K  cn vbsemi
 vbz7001.pdf pdf_icon

VBZ7001

VBZ7001 www.VBsemi.com P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) VGS(th) (V) ID (mA) Definition TrenchFET Power MOSFET - 60 3 at VGS = - 10 V - 1 to - 3 -500 High-Side Switching Low On-Resistance 4 Low Threshold - 2 V (typ.) Fast Swtiching Speed 20 ns (typ.) Low Input Ca

Otros transistores... VBTA1220N, VBTA161K, VBTA2245N, VBTA3230NS, VBTA3615M, VBTA4250N, VBTA5220N, VBZ3442, IRFP260N, VBZ84, VBZA4042, VBZA4407, VBZA4409, VBZA4410, VBZA4412, VBZA4420, VBZA4425