VBZ7001 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBZ7001
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.46 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de VBZ7001 MOSFET
VBZ7001 Datasheet (PDF)
vbz7001.pdf
VBZ7001www.VBsemi.comP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () VGS(th) (V) ID (mA)Definition TrenchFET Power MOSFET- 60 3 at VGS = - 10 V - 1 to - 3 -500 High-Side Switching Low On-Resistance: 4 Low Threshold: - 2 V (typ.) Fast Swtiching Speed: 20 ns (typ.) Low Input Ca
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History: NCE3N170 | WMK80R720S
History: NCE3N170 | WMK80R720S
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