VBZ84 Todos los transistores

 

VBZ84 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBZ84
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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VBZ84 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2173K  cn vbsemi
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VBZ84

VBZ84www.VBsemi.comP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () VGS(th) (V) ID (mA)Definition TrenchFET Power MOSFET- 60 3.5 at VGS = - 10 V - 1 to - 3 -400 High-Side Switching Low On-Resistance: 3.9 Low Threshold: - 2 V (typ.) Fast Swtiching Speed: 20 ns (typ.) Low Input

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History: SQ4937EY | SQ4483EEY | SQ4532AEY | STP13N80K5 | SQ4936EY | APT50M38JLL

 

 
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