Справочник MOSFET. VBZ84

 

VBZ84 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZ84
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZ84 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2173K  cn vbsemi
 vbz84.pdf pdf_icon

VBZ84

VBZ84www.VBsemi.comP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () VGS(th) (V) ID (mA)Definition TrenchFET Power MOSFET- 60 3.5 at VGS = - 10 V - 1 to - 3 -400 High-Side Switching Low On-Resistance: 3.9 Low Threshold: - 2 V (typ.) Fast Swtiching Speed: 20 ns (typ.) Low Input

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MTP3J15Y3 | FDG6320C | NCEAP016N10LL | STB10NK60ZT4 | SI7413DN | BUK455-100B | SSF65R420S2

 

 
Back to Top

 


 
.