VBZ84 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VBZ84
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.46 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для VBZ84
VBZ84 Datasheet (PDF)
vbz84.pdf
VBZ84www.VBsemi.comP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () VGS(th) (V) ID (mA)Definition TrenchFET Power MOSFET- 60 3.5 at VGS = - 10 V - 1 to - 3 -400 High-Side Switching Low On-Resistance: 3.9 Low Threshold: - 2 V (typ.) Fast Swtiching Speed: 20 ns (typ.) Low Input
Другие MOSFET... VBTA161K , VBTA2245N , VBTA3230NS , VBTA3615M , VBTA4250N , VBTA5220N , VBZ3442 , VBZ7001 , AO3400 , VBZA4042 , VBZA4407 , VBZA4409 , VBZA4410 , VBZA4412 , VBZA4420 , VBZA4425 , VBZA4430 .
History: UT3N10L-AB3-R | STB12NM50 | SQ4483EEY | 3SK207 | STP20N95K5 | SQ4532AEY | HM2N65R
History: UT3N10L-AB3-R | STB12NM50 | SQ4483EEY | 3SK207 | STP20N95K5 | SQ4532AEY | HM2N65R
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor


