VBZ84. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBZ84

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для VBZ84

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZ84 даташит

 ..1. Size:2173K  cn vbsemi
 vbz84.pdf pdf_icon

VBZ84

VBZ84 www.VBsemi.com P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) VGS(th) (V) ID (mA) Definition TrenchFET Power MOSFET - 60 3.5 at VGS = - 10 V - 1 to - 3 -400 High-Side Switching Low On-Resistance 3.9 Low Threshold - 2 V (typ.) Fast Swtiching Speed 20 ns (typ.) Low Input

Другие IGBT... VBTA161K, VBTA2245N, VBTA3230NS, VBTA3615M, VBTA4250N, VBTA5220N, VBZ3442, VBZ7001, AO3400, VBZA4042, VBZA4407, VBZA4409, VBZA4410, VBZA4412, VBZA4420, VBZA4425, VBZA4430