Справочник MOSFET. VBZ84

 

VBZ84 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZ84
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для VBZ84

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZ84 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2173K  cn vbsemi
 vbz84.pdf pdf_icon

VBZ84

VBZ84www.VBsemi.comP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () VGS(th) (V) ID (mA)Definition TrenchFET Power MOSFET- 60 3.5 at VGS = - 10 V - 1 to - 3 -400 High-Side Switching Low On-Resistance: 3.9 Low Threshold: - 2 V (typ.) Fast Swtiching Speed: 20 ns (typ.) Low Input

Другие MOSFET... VBTA161K , VBTA2245N , VBTA3230NS , VBTA3615M , VBTA4250N , VBTA5220N , VBZ3442 , VBZ7001 , IRF3710 , VBZA4042 , VBZA4407 , VBZA4409 , VBZA4410 , VBZA4412 , VBZA4420 , VBZA4425 , VBZA4430 .

History: MPSA80M250B | HM16N65F | AOSN32128

 

 
Back to Top

 


 
.