VBZA5670 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBZA5670
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de VBZA5670 MOSFET
VBZA5670 Datasheet (PDF)
vbza5670.pdf

VBZA5670www.VBsemi.comN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 10 V 760 25 nC Optimized for Low Side Synchronous50.040 at VGS = 4.5 V Rectifier Operation 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONSD CCFL Inve
Otros transistores... VBZA4618 , VBZA4800 , VBZA4805 , VBZA4850 , VBZA4936 , VBZA4946 , VBZA4953 , VBZA4953A , AO3400 , VBZA6679 , VBZA7240 , VBZA7470 , VBZA8858 , VBZA9358 , VBZA9410 , VBZA9435 , VBZA9926 .
History: NCE70N1K1R | P5506HVG | JCS5N50CT
History: NCE70N1K1R | P5506HVG | JCS5N50CT



Liste
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