Справочник MOSFET. VBZA5670

 

VBZA5670 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZA5670
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для VBZA5670

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZA5670 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1485K  cn vbsemi
 vbza5670.pdf pdf_icon

VBZA5670

VBZA5670www.VBsemi.comN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 10 V 760 25 nC Optimized for Low Side Synchronous50.040 at VGS = 4.5 V Rectifier Operation 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONSD CCFL Inve

Другие MOSFET... VBZA4618 , VBZA4800 , VBZA4805 , VBZA4850 , VBZA4936 , VBZA4946 , VBZA4953 , VBZA4953A , AO3400 , VBZA6679 , VBZA7240 , VBZA7470 , VBZA8858 , VBZA9358 , VBZA9410 , VBZA9435 , VBZA9926 .

History: IRFS645 | AP4575GM-HF | CM8N80F | CTD03N003 | SSM3K03FE

 

 
Back to Top

 


 
.