VBZA5670. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBZA5670

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для VBZA5670

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZA5670 даташит

 ..1. Size:1485K  cn vbsemi
 vbza5670.pdf pdf_icon

VBZA5670

VBZA5670 www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.030 at VGS = 10 V 7 60 25 nC Optimized for Low Side Synchronous 5 0.040 at VGS = 4.5 V Rectifier Operation 100 % Rg and UIS Tested APPLICATIONS D CCFL Inve

Другие IGBT... VBZA4618, VBZA4800, VBZA4805, VBZA4850, VBZA4936, VBZA4946, VBZA4953, VBZA4953A, AO3401, VBZA6679, VBZA7240, VBZA7470, VBZA8858, VBZA9358, VBZA9410, VBZA9435, VBZA9926