Справочник MOSFET. VBZA5670

 

VBZA5670 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZA5670
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZA5670 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1485K  cn vbsemi
 vbza5670.pdf pdf_icon

VBZA5670

VBZA5670www.VBsemi.comN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 10 V 760 25 nC Optimized for Low Side Synchronous50.040 at VGS = 4.5 V Rectifier Operation 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONSD CCFL Inve

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.