VBZA6679 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBZA6679

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 455 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 typ Ohm

Encapsulados: SO8

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VBZA6679 datasheet

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VBZA6679

VBZA6679 www.VBsemi.com P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.009 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg Tested RoHS - 30 29 nC COMPLIANT 100 % UIS Tested 0.015 at VGS = - 4.5 V - 9 APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor Switch SO-8 S S 1 8 D S D 2 7 G S

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