VBZA6679 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VBZA6679
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 455 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBZA6679

VBZA6679 Datasheet (PDF)

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vbza6679.pdf

VBZA6679www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.009 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg TestedRoHS- 30 29 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.015 at VGS = - 4.5 V - 9APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2 7G S

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: