VBZA6679 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VBZA6679
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 455 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009(typ) Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для VBZA6679
VBZA6679 Datasheet (PDF)
vbza6679.pdf
VBZA6679www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.009 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg TestedRoHS- 30 29 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.015 at VGS = - 4.5 V - 9APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2 7G S
Другие MOSFET... VBZA4800 , VBZA4805 , VBZA4850 , VBZA4936 , VBZA4946 , VBZA4953 , VBZA4953A , VBZA5670 , K3569 , VBZA7240 , VBZA7470 , VBZA8858 , VBZA9358 , VBZA9410 , VBZA9435 , VBZA9926 , VBZA9926A .
History: VBZA7470
History: VBZA7470
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818


