VBZA6679. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBZA6679

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 455 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 typ Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для VBZA6679

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZA6679 даташит

 ..1. Size:1033K  cn vbsemi
 vbza6679.pdf pdf_icon

VBZA6679

VBZA6679 www.VBsemi.com P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.009 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg Tested RoHS - 30 29 nC COMPLIANT 100 % UIS Tested 0.015 at VGS = - 4.5 V - 9 APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor Switch SO-8 S S 1 8 D S D 2 7 G S

Другие IGBT... VBZA4800, VBZA4805, VBZA4850, VBZA4936, VBZA4946, VBZA4953, VBZA4953A, VBZA5670, K3569, VBZA7240, VBZA7470, VBZA8858, VBZA9358, VBZA9410, VBZA9435, VBZA9926, VBZA9926A