VBZA7470 Todos los transistores

 

VBZA7470 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBZA7470
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

 Búsqueda de reemplazo de VBZA7470 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VBZA7470 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1892K  cn vbsemi
 vbza7470.pdf pdf_icon

VBZA7470

VBZA7470www.VBsemi.comN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.014 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET1040 15 nC 100 % Rg Tested0.016 at VGS = 4.5 V 9 100 % UIS Tested Compliant to RoHS directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Synchronous Rectificat

 9.1. Size:1045K  cn vbsemi
 vbza7240.pdf pdf_icon

VBZA7470

VBZA7240www.VBsemi.comP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.013 at VGS = - 10 V - 11 100 % Rg Tested- 40 33 nC0.015 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Load Switch POLSO-8GSD1 8

Otros transistores... VBZA4850 , VBZA4936 , VBZA4946 , VBZA4953 , VBZA4953A , VBZA5670 , VBZA6679 , VBZA7240 , 2SK3568 , VBZA8858 , VBZA9358 , VBZA9410 , VBZA9435 , VBZA9926 , VBZA9926A , VBZA9936 , VBZA9945 .

 

 
Back to Top

 


 
.