VBZA7470. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBZA7470

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 typ Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для VBZA7470

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZA7470 даташит

 ..1. Size:1892K  cn vbsemi
 vbza7470.pdf pdf_icon

VBZA7470

VBZA7470 www.VBsemi.com N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.014 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 10 40 15 nC 100 % Rg Tested 0.016 at VGS = 4.5 V 9 100 % UIS Tested Compliant to RoHS directive 2002/95/EC APPLICATIONS Synchronous Rectificat

 9.1. Size:1045K  cn vbsemi
 vbza7240.pdf pdf_icon

VBZA7470

VBZA7240 www.VBsemi.com P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.013 at VGS = - 10 V - 11 100 % Rg Tested - 40 33 nC 0.015 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS S Load Switch POL SO-8 G SD 1 8

Другие IGBT... VBZA4850, VBZA4936, VBZA4946, VBZA4953, VBZA4953A, VBZA5670, VBZA6679, VBZA7240, 4435, VBZA8858, VBZA9358, VBZA9410, VBZA9435, VBZA9926, VBZA9926A, VBZA9936, VBZA9945