Справочник MOSFET. VBZA7470

 

VBZA7470 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZA7470
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для VBZA7470

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZA7470 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1892K  cn vbsemi
 vbza7470.pdf pdf_icon

VBZA7470

VBZA7470www.VBsemi.comN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.014 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET1040 15 nC 100 % Rg Tested0.016 at VGS = 4.5 V 9 100 % UIS Tested Compliant to RoHS directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Synchronous Rectificat

 9.1. Size:1045K  cn vbsemi
 vbza7240.pdf pdf_icon

VBZA7470

VBZA7240www.VBsemi.comP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.013 at VGS = - 10 V - 11 100 % Rg Tested- 40 33 nC0.015 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Load Switch POLSO-8GSD1 8

Другие MOSFET... VBZA4850 , VBZA4936 , VBZA4946 , VBZA4953 , VBZA4953A , VBZA5670 , VBZA6679 , VBZA7240 , 2SK3568 , VBZA8858 , VBZA9358 , VBZA9410 , VBZA9435 , VBZA9926 , VBZA9926A , VBZA9936 , VBZA9945 .

History: DMN3035LWN | IPD60R1K0PFD7S | GP1T160A120B | IRF6668 | HM2N10MR | AM3930N | CS5N65A4

 

 
Back to Top

 


 
.