FDC5614P Todos los transistores

 

FDC5614P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDC5614P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: SSOT6
 

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FDC5614P datasheet

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FDC5614P

February 2002 FDC5614P 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET General Description Features This 60V P-Channel MOSFET uses Fairchild s high 3 A, 60 V. RDS(ON) = 0.105 @ VGS = 10 V voltage PowerTrench process. It has been optimized for RDS(ON) = 0.135 @ VGS = 4.5 V power management applications. Fast switching speed Applic

 ..2. Size:140K  onsemi
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FDC5614P

February 2002 FDC5614P 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET General Description Features This 60V P-Channel MOSFET uses Fairchild s high 3 A, 60 V. RDS(ON) = 0.105 @ VGS = 10 V voltage PowerTrench process. It has been optimized for RDS(ON) = 0.135 @ VGS = 4.5 V power management applications. Fast switching speed Applic

 ..3. Size:2795K  cn vbsemi
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FDC5614P

FDC5614P www.VBsemi.tw P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Typ. ID (A) d Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested 0.050 at VGS = -10 V -6.5 -60 10.1 nC 0.060 at VGS = -4.5 V -5.1 APPLICATIONS Load switches DC/DC converter TSOP-6 Top View (4) S 1 6 (3) G 3 mm 5 2 3 4 (1, 2, 5, 6) D 2.85 mm

 8.1. Size:77K  fairchild semi
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FDC5614P

December 2004 FDC5612 60V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 4.3 A, 60 V. RDS(ON) = 0.055 @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 0.064 @ VGS = 6 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Low gate charge (12.5nC typical). Thes

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