VBZA8858 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBZA8858

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 755 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: SO8

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VBZA8858 datasheet

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VBZA8858

VBZA8858 www.VBsemi.com N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.011 at VGS = 10 V 10 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 30 13 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.013 at VGS = 4.5 V 9 APPLICATIONS 0.021 at VGS = - 10 V -

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