VBZA8858. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBZA8858

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 755 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для VBZA8858

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZA8858 даташит

 ..1. Size:1812K  cn vbsemi
 vbza8858.pdf pdf_icon

VBZA8858

VBZA8858 www.VBsemi.com N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.011 at VGS = 10 V 10 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 30 13 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.013 at VGS = 4.5 V 9 APPLICATIONS 0.021 at VGS = - 10 V -

Другие IGBT... VBZA4936, VBZA4946, VBZA4953, VBZA4953A, VBZA5670, VBZA6679, VBZA7240, VBZA7470, SPP20N60C3, VBZA9358, VBZA9410, VBZA9435, VBZA9926, VBZA9926A, VBZA9936, VBZA9945, VBZB8205A