Справочник MOSFET. VBZA8858

 

VBZA8858 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBZA8858
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 755 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для VBZA8858

 

 

VBZA8858 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1812K  cn vbsemi
 vbza8858.pdf

VBZA8858 VBZA8858

VBZA8858www.VBsemi.comN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = 10 V 10 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 30 13 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.013 at VGS = 4.5 V 9APPLICATIONS0.021 at VGS = - 10 V -

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top