VBZB8205A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBZB8205A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 330 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 typ Ohm

Encapsulados: TSOP6

 Búsqueda de reemplazo de VBZB8205A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

VBZB8205A datasheet

 ..1. Size:1138K  cn vbsemi
 vbzb8205a.pdf pdf_icon

VBZB8205A

VBZB8205A www.VBsemi.com Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Pb-free TrenchFET Power MOSFETs 0.024 at VGS = 4.5 V Available 6.0 100 % Rg Tested 20 RoHS* 0.028 at VGS = 2.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 5.0 COMPLIANT TSOP6 D D Top View S1 1 6 G1 D1/D2 2 5 D1/D2 G1 G

Otros transistores... VBZA8858, VBZA9358, VBZA9410, VBZA9435, VBZA9926, VBZA9926A, VBZA9936, VBZA9945, IRFB3607, VBZC8205A, VBZC8205B, VBZC8810, VBZE04N03, VBZE06N02, VBZE06N03, VBZE100N02, VBZE100N03