VBZB8205A Todos los transistores

 

VBZB8205A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBZB8205A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 330 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

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VBZB8205A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1138K  cn vbsemi
 vbzb8205a.pdf pdf_icon

VBZB8205A

VBZB8205Awww.VBsemi.comDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free TrenchFET Power MOSFETs0.024 at VGS = 4.5 V Available6.0 100 % Rg Tested20RoHS*0.028 at VGS = 2.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC5.0COMPLIANTTSOP6DDTop ViewS1 1 6 G1D1/D2 2 5 D1/D2G1 G

Otros transistores... VBZA8858 , VBZA9358 , VBZA9410 , VBZA9435 , VBZA9926 , VBZA9926A , VBZA9936 , VBZA9945 , AON7506 , VBZC8205A , VBZC8205B , VBZC8810 , VBZE04N03 , VBZE06N02 , VBZE06N03 , VBZE100N02 , VBZE100N03 .

History: FDD6N50TF | 2SJ125 | NVMFD5C650NL | IRFU420B | UM6K31N | H8N60F

 

 
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