VBZB8205A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VBZB8205A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 330 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024(typ) Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для VBZB8205A
VBZB8205A Datasheet (PDF)
vbzb8205a.pdf

VBZB8205Awww.VBsemi.comDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free TrenchFET Power MOSFETs0.024 at VGS = 4.5 V Available6.0 100 % Rg Tested20RoHS*0.028 at VGS = 2.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC5.0COMPLIANTTSOP6DDTop ViewS1 1 6 G1D1/D2 2 5 D1/D2G1 G
Другие MOSFET... VBZA8858 , VBZA9358 , VBZA9410 , VBZA9435 , VBZA9926 , VBZA9926A , VBZA9936 , VBZA9945 , AON7506 , VBZC8205A , VBZC8205B , VBZC8810 , VBZE04N03 , VBZE06N02 , VBZE06N03 , VBZE100N02 , VBZE100N03 .
History: CSD23381F4 | CSD16413Q5A | NCE60NF260K
History: CSD23381F4 | CSD16413Q5A | NCE60NF260K



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926