Справочник MOSFET. VBZB8205A

 

VBZB8205A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZB8205A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 330 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024(typ) Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для VBZB8205A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZB8205A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1138K  cn vbsemi
 vbzb8205a.pdf pdf_icon

VBZB8205A

VBZB8205Awww.VBsemi.comDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free TrenchFET Power MOSFETs0.024 at VGS = 4.5 V Available6.0 100 % Rg Tested20RoHS*0.028 at VGS = 2.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC5.0COMPLIANTTSOP6DDTop ViewS1 1 6 G1D1/D2 2 5 D1/D2G1 G

Другие MOSFET... VBZA8858 , VBZA9358 , VBZA9410 , VBZA9435 , VBZA9926 , VBZA9926A , VBZA9936 , VBZA9945 , AON7506 , VBZC8205A , VBZC8205B , VBZC8810 , VBZE04N03 , VBZE06N02 , VBZE06N03 , VBZE100N02 , VBZE100N03 .

History: 10N65KL-TF1-T | IXFQ94N30P3 | 2SK1303 | CEU12N10 | 2N3957 | BUK553-60A | AM2300

 

 
Back to Top

 


 
.