VBZB8205A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBZB8205A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 330 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 typ Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для VBZB8205A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZB8205A даташит

 ..1. Size:1138K  cn vbsemi
 vbzb8205a.pdf pdf_icon

VBZB8205A

VBZB8205A www.VBsemi.com Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Pb-free TrenchFET Power MOSFETs 0.024 at VGS = 4.5 V Available 6.0 100 % Rg Tested 20 RoHS* 0.028 at VGS = 2.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 5.0 COMPLIANT TSOP6 D D Top View S1 1 6 G1 D1/D2 2 5 D1/D2 G1 G

Другие IGBT... VBZA8858, VBZA9358, VBZA9410, VBZA9435, VBZA9926, VBZA9926A, VBZA9936, VBZA9945, IRFB3607, VBZC8205A, VBZC8205B, VBZC8810, VBZE04N03, VBZE06N02, VBZE06N03, VBZE100N02, VBZE100N03