VBZE04N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBZE04N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 235 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1525 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 typ Ohm

Encapsulados: TO252

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VBZE04N03 datasheet

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VBZE04N03

VBZE04N03 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.003 at VGS = 10 V 140 30 72 nC 0.006 at VGS = 4.5 V 100 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET A

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VBZE04N03

VBZE06N02 www.VBsemi.com N-Channel 20-V (D-S)MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFET VDS (V) rDS(on) (W) ID (A)a D 175_C Maximum Junction Temperature D 100% Rg Tested 0.006 @ VGS = 4.5 V 100 20 20 0.008 @ VGS = 2.5 V 90 D TO-252 G Drain Connected to Tab G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter

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VBZE04N03

VBZE06N03 www.VBsemi.com N-Channel 20-V (D-S)MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFET VDS (V) RDS(on) (W) ID (A)a D 175_C Maximum Junction Temperature D 100% Rg Tested 0.005 @ VGS = 4.5 V 110 20 20 0.008 @ VGS = 2.5 V 90 D TO-252 G Drain Connected to Tab G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Paramete

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