VBZE04N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBZE04N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 235 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1525 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBZE04N03
VBZE04N03 Datasheet (PDF)
vbze04n03.pdf
VBZE04N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.003 at VGS = 10 V 14030 72 nC0.006 at VGS = 4.5 V 100APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETA
vbze06n02.pdf
VBZE06N02www.VBsemi.comN-Channel 20-V (D-S)MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)aD 175_C Maximum Junction TemperatureD 100% Rg Tested 0.006 @ VGS = 4.5 V 10020200.008 @ VGS = 2.5 V 90DTO-252GDrain Connected to TabG D STop View SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter
vbze06n03.pdf
VBZE06N03www.VBsemi.comN-Channel 20-V (D-S)MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) RDS(on) (W) ID (A)aD 175_C Maximum Junction TemperatureD 100% Rg Tested 0.005 @ VGS = 4.5 V 11020200.008 @ VGS = 2.5 V90DTO-252GDrain Connected to TabG D STop View SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Paramete
Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
Liste
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