VBZE04N03 Todos los transistores

 

VBZE04N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBZE04N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 235 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1525 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de VBZE04N03 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VBZE04N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1108K  cn vbsemi
 vbze04n03.pdf pdf_icon

VBZE04N03

VBZE04N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.003 at VGS = 10 V 14030 72 nC0.006 at VGS = 4.5 V 100APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETA

 9.1. Size:1062K  cn vbsemi
 vbze06n02.pdf pdf_icon

VBZE04N03

VBZE06N02www.VBsemi.comN-Channel 20-V (D-S)MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)aD 175_C Maximum Junction TemperatureD 100% Rg Tested 0.006 @ VGS = 4.5 V 10020200.008 @ VGS = 2.5 V 90DTO-252GDrain Connected to TabG D STop View SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter

 9.2. Size:753K  cn vbsemi
 vbze06n03.pdf pdf_icon

VBZE04N03

VBZE06N03www.VBsemi.comN-Channel 20-V (D-S)MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) RDS(on) (W) ID (A)aD 175_C Maximum Junction TemperatureD 100% Rg Tested 0.005 @ VGS = 4.5 V 11020200.008 @ VGS = 2.5 V90DTO-252GDrain Connected to TabG D STop View SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Paramete

Otros transistores... VBZA9926 , VBZA9926A , VBZA9936 , VBZA9945 , VBZB8205A , VBZC8205A , VBZC8205B , VBZC8810 , IRFP450 , VBZE06N02 , VBZE06N03 , VBZE100N02 , VBZE100N03 , VBZE100P03 , VBZE10N20 , VBZE12N03 , VBZE12N06 .

History: 2SJ125 | FDD6N50TF | NVMFD5C650NL | IRFU420B | UM6K31N

 

 
Back to Top

 


 
.