VBZE04N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VBZE04N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 235 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1525 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003(typ) Ohm
Тип корпуса: TO252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
VBZE04N03 Datasheet (PDF)
vbze04n03.pdf

VBZE04N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.003 at VGS = 10 V 14030 72 nC0.006 at VGS = 4.5 V 100APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETA
vbze06n02.pdf

VBZE06N02www.VBsemi.comN-Channel 20-V (D-S)MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)aD 175_C Maximum Junction TemperatureD 100% Rg Tested 0.006 @ VGS = 4.5 V 10020200.008 @ VGS = 2.5 V 90DTO-252GDrain Connected to TabG D STop View SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter
vbze06n03.pdf

VBZE06N03www.VBsemi.comN-Channel 20-V (D-S)MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) RDS(on) (W) ID (A)aD 175_C Maximum Junction TemperatureD 100% Rg Tested 0.005 @ VGS = 4.5 V 11020200.008 @ VGS = 2.5 V90DTO-252GDrain Connected to TabG D STop View SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Paramete
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SE4060 | ZXMN0545G4 | IPA600N25NM3S
History: SE4060 | ZXMN0545G4 | IPA600N25NM3S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40