VBZE60N02 Todos los transistores

 

VBZE60N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBZE60N02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.5(min) V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 100(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1725 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

VBZE60N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2382K  cn vbsemi
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VBZE60N02

VBZE60N02www.VBsemi.comN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.003 at VGS = 4.5 V 15020 92nC0.006at VGS = 2.5 V 100APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETAB

 6.1. Size:877K  cn vbsemi
 vbze60n03.pdf pdf_icon

VBZE60N02

VBZE60N03www.VBsemi.comN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS TestedRoHS850.007at VGS = 10 V COMPLIANT 40 20 nC530.010at VGS = 4.5 V APPLICATIONSD Synchronous Rectification Power SuppliesTO-252GG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIM

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