VBZE60N02 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VBZE60N02
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.5(min) V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 100(max) nC
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1725 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003(typ) Ohm
Тип корпуса: TO252
VBZE60N02 Datasheet (PDF)
vbze60n02.pdf
VBZE60N02www.VBsemi.comN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.003 at VGS = 4.5 V 15020 92nC0.006at VGS = 2.5 V 100APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETAB
vbze60n03.pdf
VBZE60N03www.VBsemi.comN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS TestedRoHS850.007at VGS = 10 V COMPLIANT 40 20 nC530.010at VGS = 4.5 V APPLICATIONSD Synchronous Rectification Power SuppliesTO-252GG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIM
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FIR9N90FG | FIR9N65LG | FIR9N50FG | FIR96N08PG | FIR8N80FG | FIR8N70FG | FIR8N65FG | FIR8N60FG | FIR80N10LG | FIR80N08PG | FIR80N03LG | FIR7NS70ALG | FIR7NS70AFG | FIR7NS65AFG | FIR6N90FG | FIR6N70FG