Справочник MOSFET. VBZE60N02

 

VBZE60N02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZE60N02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1725 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для VBZE60N02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZE60N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2382K  cn vbsemi
 vbze60n02.pdf pdf_icon

VBZE60N02

VBZE60N02www.VBsemi.comN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.003 at VGS = 4.5 V 15020 92nC0.006at VGS = 2.5 V 100APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETAB

 6.1. Size:877K  cn vbsemi
 vbze60n03.pdf pdf_icon

VBZE60N02

VBZE60N03www.VBsemi.comN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS TestedRoHS850.007at VGS = 10 V COMPLIANT 40 20 nC530.010at VGS = 4.5 V APPLICATIONSD Synchronous Rectification Power SuppliesTO-252GG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIM

Другие MOSFET... VBZE45N03 , VBZE50N03 , VBZE50N04 , VBZE50N06 , VBZE50P03 , VBZE50P04 , VBZE50P06 , VBZE5N20 , HY1906P , VBZE60N03 , VBZE70N03 , VBZE75N03 , VBZE7843 , VBZE80N03 , VBZE80N06 , VBZE80N10 , VBZE80P03 .

History: TPC8301 | DMG6301UDW | RJK5026DPE | IRF6619

 

 
Back to Top

 


 
.