FDC610PZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDC610PZ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
Paquete / Cubierta: SSOT6
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FDC610PZ Datasheet (PDF)
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August 2007FDC610PZtmP-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 4.9A, 42mFeatures General Description Max rDS(on) = 42m at VGS = 10V, ID = 4.9AThis P-Channel MOSFET is produced using FairchildSemiconductors advanced PowerTrench process that has Max rDS(on) = 75m at VGS = 4.5V, ID = 3.7Abeen especially tailored to minimize the on-state resistance and
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FDC610PZP-Channel PowerTrench MOSFET30V, 4.9A, 42mGeneral DescriptionFeaturesThis P-Channel MOSFET is produced using ON Max rDS(on) = 42m at VGS = 10V, ID = 4.9ASemiconductors advanced PowerTrench process that has Max rDS(on) = 75m at VGS = 4.5V, ID = 3.7Abeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate
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SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETFDC610PZFeatures( )SOT-23-6 Unit:mmVDS (V) =-30V+0.10.4 -0.1ID =-4.9 A (VGS =25V)RDS(ON) 42m (VGS =-10V)5 46RDS(ON) 75m (VGS =-4.5V)2 31+0.020.15 -0.02+0.01-0.01+0.2-0.1DD1 6D D521 Drain 4 Source2 Drain 5 Drain3 Gate 6 DrainSG3 43Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit
Otros transistores... STU3055L , FDC365P , FDC5614P , FDC5661N-F085 , FDC602P , FDC604P , FDC606P , FDC608PZ , IRFP460 , FDC6310P , FDC6312P , FDC6318P , FDC6320C , STU303S , FDC6321C , STU3030NLS , FDC6327C .



Liste
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