VBZE9N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBZE9N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 180 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 85 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1525 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.007(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBZE9N03
VBZE9N03 Datasheet (PDF)
vbze9n03.pdf
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VBZE9N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.007at VGS = 10 V 8530 70nC0.009at VGS = 4.5 V 58APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOLUT
vbze90n03.pdf
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VBZE90N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.003.8at VGS = 10 V 12030 70 nC0.006at VGS = 4.5 V 100APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETA
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