Справочник MOSFET. VBZE9N03

 

VBZE9N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZE9N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1525 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для VBZE9N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZE9N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2374K  cn vbsemi
 vbze9n03.pdf pdf_icon

VBZE9N03

VBZE9N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.007at VGS = 10 V 8530 70nC0.009at VGS = 4.5 V 58APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOLUT

 9.1. Size:829K  cn vbsemi
 vbze90n03.pdf pdf_icon

VBZE9N03

VBZE90N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.003.8at VGS = 10 V 12030 70 nC0.006at VGS = 4.5 V 100APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETA

Другие MOSFET... VBZE70N03 , VBZE75N03 , VBZE7843 , VBZE80N03 , VBZE80N06 , VBZE80N10 , VBZE80P03 , VBZE90N03 , 20N60 , VBZFB06N02 , VBZFB10N20 , VBZFB12P10 , VBZFB15N10 , VBZFB20N06 , VBZFB20P06 , VBZFB30N06 , VBZFB40N03 .

History: PMPB16EP | SIA850DJ | TK31J60W5 | CST1N50DLF

 

 
Back to Top

 


 
.