VBZE9N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBZE9N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1525 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 typ Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для VBZE9N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZE9N03 даташит

 ..1. Size:2374K  cn vbsemi
 vbze9n03.pdf pdf_icon

VBZE9N03

VBZE9N03 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.007at VGS = 10 V 85 30 70nC 0.009at VGS = 4.5 V 58 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOLUT

 9.1. Size:829K  cn vbsemi
 vbze90n03.pdf pdf_icon

VBZE9N03

VBZE90N03 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.003.8at VGS = 10 V 120 30 70 nC 0.006at VGS = 4.5 V 100 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET A

Другие IGBT... VBZE70N03, VBZE75N03, VBZE7843, VBZE80N03, VBZE80N06, VBZE80N10, VBZE80P03, VBZE90N03, 20N60, VBZFB06N02, VBZFB10N20, VBZFB12P10, VBZFB15N10, VBZFB20N06, VBZFB20P06, VBZFB30N06, VBZFB40N03