VBZJ12N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBZJ12N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 max pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.076 Ohm

Encapsulados: SOT223

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VBZJ12N06 datasheet

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VBZJ12N06

VBZJ12N06 www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.076 at VGS = 10 V 4 RoHS 10 nC COMPLIANT 60 APPLICATIONS 0.085 at VGS = 4.5 V 3 Load Switches for Portable Devices D SOT-223-3 D G S D G S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless o

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