VBZJ12N06 - аналоги и даташиты транзистора

 

VBZJ12N06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VBZJ12N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120(max) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для VBZJ12N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZJ12N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1088K  cn vbsemi
 vbzj12n06.pdf pdf_icon

VBZJ12N06

VBZJ12N06www.VBsemi.comN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.076 at VGS = 10 V 4RoHS10 nC COMPLIANT60APPLICATIONS0.085 at VGS = 4.5 V 3 Load Switches for Portable DevicesDSOT-223-3D GSDGSN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless o

Другие MOSFET... VBZFB40P03 , VBZFB40P04 , VBZFB40P06 , VBZFB50N03 , VBZFB50N06 , VBZFB60N03 , VBZFB70N03 , VBZFB80N03 , IRFB4115 , VBZL100N04 , VBZL120N08 , VBZL150N03 , VBZL30N06 , VBZL45N03 , VBZL50N06 , VBZL60N03 , VBZL60N06 .

 

 
Back to Top

 


 
.