Справочник MOSFET. VBZJ12N06

 

VBZJ12N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZJ12N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120(max) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZJ12N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1088K  cn vbsemi
 vbzj12n06.pdf pdf_icon

VBZJ12N06

VBZJ12N06www.VBsemi.comN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.076 at VGS = 10 V 4RoHS10 nC COMPLIANT60APPLICATIONS0.085 at VGS = 4.5 V 3 Load Switches for Portable DevicesDSOT-223-3D GSDGSN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless o

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AOSN32338C | NVMFS5C628N | IXFK48N60Q3 | NCEP026N10F | MC11N005 | SI7913DN | JCS5N50CT

 

 
Back to Top

 


 
.