VBZJ12N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBZJ12N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для VBZJ12N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZJ12N06 даташит

 ..1. Size:1088K  cn vbsemi
 vbzj12n06.pdf pdf_icon

VBZJ12N06

VBZJ12N06 www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.076 at VGS = 10 V 4 RoHS 10 nC COMPLIANT 60 APPLICATIONS 0.085 at VGS = 4.5 V 3 Load Switches for Portable Devices D SOT-223-3 D G S D G S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless o

Другие IGBT... VBZFB40P03, VBZFB40P04, VBZFB40P06, VBZFB50N03, VBZFB50N06, VBZFB60N03, VBZFB70N03, VBZFB80N03, P55NF06, VBZL100N04, VBZL120N08, VBZL150N03, VBZL30N06, VBZL45N03, VBZL50N06, VBZL60N03, VBZL60N06